Samsungは、最新の1c DRAMプロセスの設計を見直し、歩留まり率の向上を図ることで、次世代の高性能メモリ「HBM4」の生産に向けた競争力を強化しようとしている。報道によれば、同社はチップのサイズを拡大する方向で設計を調整し、2025年中頃の安定生産を目指している。
この取り組みは、HBM4市場においてSK HynixやMicronといったライバル企業に対抗する上で重要な戦略となる。
HBM4の鍵を握る1c DRAMとは何か——Samsungの設計変更がもたらす影響
Samsungが改良を進めている1c DRAMプロセスは、次世代のHBM4メモリにとって不可欠な技術とされている。そもそも1c DRAMとは、6世代目にあたる先進的なDRAMプロセスであり、Samsungが大規模な生産を目指す中で、その安定性とコストが大きな課題となっていた。このプロセスが成功すれば、HBM4の性能と供給量が向上し、AIやデータセンター向けの高性能メモリ市場での競争力を高めることが期待されている。
特にHBM（High Bandwidth Memory）は、従来のDRAMと比較してはるかに高い帯域幅を持つことが特徴であり、AIモデルの学習やデータ処理能力の向上に不可欠とされる。その中でもHBM4は、HBM3Eを上回る帯域幅を実現する次世代技術として注目されている。しかし、Samsungは1c DRAMの初期設計でチップサイズの縮小を試みた結果、歩留まり率の低下という問題に直面した。これがHBM4の量産計画に影響を与えたため、チップサイズを拡大する再設計が決定されたのである。
この変更は、コスト面では不利に働く可能性があるが、安定した生産と品質向上を優先する判断と考えられる。業界では、SK HynixやMicronといった競合他社がHBM4の開発を加速させているため、Samsungがこの技術革新を短期間で完了し、量産体制を確立できるかが今後の焦点となる。
Samsungの歩留まり率問題——なぜ1c DRAMの再設計が必要だったのか
Samsungが1c DRAMプロセスの設計を変更する背景には、歩留まり率の低迷があったとされる。半導体製造において歩留まり率とは、生産されたチップのうち正常に機能する割合を指し、この値が低いと生産コストが上昇し、安定した供給が困難になる。ZDNet Koreaの報道によれば、Samsungの1c DRAMは当初、歩留まり率が約60～70%にとどまっていた。これは高性能メモリの量産には十分とは言えず、大規模な製造には不向きな状態だった。
問題の主な原因は、チップの小型化によるプロセスの不安定化にあったとされる。Samsungは初期設計において、チップサイズを縮小することで生産効率を高めることを狙った。しかし、その結果、製造工程での欠陥が増加し、最終的な製品の品質に影響を与えた。これに対処するため、Samsungはチップサイズを拡大する再設計を決定し、プロセスの安定性を向上させる方針へとシフトした。
この設計変更が成功すれば、歩留まり率の改善により1c DRAMの量産が可能となり、HBM4の安定供給にもつながる。ただし、チップサイズの拡大は製造コストの増加を伴うため、Samsungがどの程度コストを抑えつつ歩留まり率を向上させられるかが今後の課題となる。HBM市場ではSK HynixがすでにHBM3Eの生産を進めており、Samsungがこの歩留まり率の問題を克服しなければ、競争に遅れを取る可能性もある。
SamsungはHBM4市場で巻き返せるのか——競争環境と今後の展望
Samsungの1c DRAM設計変更がHBM4の量産にどのような影響を与えるのか、業界では注目が集まっている。HBM市場では、現在SK Hynixが圧倒的なシェアを誇り、NVIDIAの最新GPUでもSK Hynix製のHBMが採用される傾向にある。これに対し、SamsungはHBM3の市場導入で苦戦した経緯があり、HBM4の成功が市場での巻き返しに不可欠とされている。
また、Micronも独自のHBM技術を強化しており、今後の市場競争はますます激化すると見られる。特にAIやデータセンター向けの高帯域メモリは今後も需要が拡大すると予想されており、各社がHBM4の生産体制を整える中で、Samsungがいかにして技術的な遅れを取り戻すかが重要なポイントとなる。
Samsungは、1c DRAMの設計を変更し歩留まり率を向上させることで、2025年末までに安定した量産を目指すと報じられている。HBM4の市場投入時期によっては、競争において有利な立場を築ける可能性もあるが、他社が先行する状況では短期間での成果が求められる。Samsungの技術改善が市場の評価をどのように変えるか、今後の進展が注視される。
Source：Wccftech