サンディスクはWestern Digitalからの分社化以降、革新に挑戦する流れの中でHigh Bandwidth Flash（HBF）を発表した。HBFは従来のHBMと同等の帯域幅を実現しつつ、NANDフラッシュ技術を応用することで容量を8倍から16倍に増大し、コスト面での優位性を追求する新たな試みである。

本技術はBiCS技術とCBAウェハーボンディングを組み合わせ、16層のダイ配置によって最大4TBへのスケールアップを可能とする設計を採用している。GPU、CPU、TPUなど多様なプロセッサとのインターフェースを標準化する点も注目に値する。

同社はAI推論など高度な処理環境の需要拡大を背景に、HBM市場に巨額投資するSamsungやSKハイニックスへの影響を見据え、オープンな標準エコシステムの構築と技術諮問委員会の設立を計画。今後の世代アップにより容量や帯域幅の更なる向上が期待される方針である。

技術革新の核心：High Bandwidth Flashの詳細解析

サンディスクが新たに提示したHigh Bandwidth Flash（HBF）は、従来の高帯域メモリ（HBM）と同等の伝送速度を維持しながら、NANDフラッシュ技術を活用して容量拡大を実現する画期的な技術である。BiCS技術とCBAウェハーボンディングを融合した16層ダイ構成は、TSVやマイクロバンプにより各層を確実に連結し、GPU、CPU、TPUとのシームレスな連携を可能とする設計が特徴である。

発表イベントのスライドでは、既存の192GB構成を凌駕する大容量化の実例が示され、HBFとHBMの併用により最大4TBへのスケールアップが可能とされる。Western Digitalとの事業分離以降、サンディスクが積極的に革新を追求する中で、主要AI企業のフィードバックを反映した開発プロセスが技術的信頼性を高める要因となっている。

これらの事実は、利用者が求める高速データ伝送と大容量記憶の両立を目指す新たな試みとして意義深く、従来のHBM市場におけるSamsungやSKハイニックスとの競争環境に変革をもたらす可能性を示唆する。一方、各世代ごとの性能向上とエネルギー効率低下が示されるため、実用面での段階的評価が不可欠である。

市場環境と実感する革新の風

サンディスクが提示した新技術HBFは、従来の192GBに留まる高帯域メモリの枠を超え、単一システムで3TBから4TBまでの大容量化を実現する点が大きな注目を集める。Western Digitalとの分社化以降の再挑戦として、本技術は先端のBiCSとCBAウェハーボンディングを基軸に、TSVやマイクロバンプによる安定した接続を実現する構造を有している。

また、発表資料においては、HBFとHBMの併用によって記憶容量の飛躍的向上が示されるとともに、3DメモリーマトリックスやDRAM代替技術への応用も視野に入れた構成が明示された。イベント内で具体的な数値が提示され、既存技術との差別化を図るための根拠となるとともに、AI推論向けの高性能要件に応える設計意図が浮き彫りにされている。

以上の数値と設計理念は、実際に利用する上での操作性や処理効率の向上に直結する可能性を孕んでいる。現段階で性能やエネルギー効率の変動が懸念されるものの、競合他社との技術優位性を追求する新たな一手として、将来的な市場展開における実用性が期待される状況である。

Source：TechRadar